SK hynix 今日宣布，已完成 HBM4 的开发，并最终准备好大规模生产——成为世界上首家完成这一壮举的公司。根据其稿，该公司现在已准备好按照客户的时间表交付顶级 HBM4。
在其稿中，SK hynix 强调，其现已成为大规模生产准备的 HBM4 提供了业内领先的数据处理速度和能效。通过采用 2,048 个 I/O 端，带宽已翻倍——是上一代的两倍，而能效提高了 40%以上。
该公司还预计 HBM4 将使 AI 服务性能提高高达 69%，有助于克服数据瓶颈，并显著降低数据中心电力成本，据其稿称。此外，SK hynix 指出，HBM4 超过了 JEDEC3 标准的 8Gbps 运行速度，达到超过 10Gbps。
据 Newsis 报道，SK hynix 通过将成熟的先进批量回流模塑底部填充（MR-MUF）封装技术与 10nm 级 1b（第五代）DRAM 相结合，降低了大规模生产的风险。Newsis 指出，该公司还与台积电合作生产基板芯片。
SK hynix 的 HBM4 即将获得 NVIDIA Rubin 的批准
朝鲜日报报道，SK hynix 的 HBM4 据称已进入用于英伟达下一代 AI 加速器的质量测试的最终阶段。随着开发的完成和内部程序的结束，消息人士称剩余的验证应该会顺利进行。报道补充说，如果 SK hynix 成功通过英伟达的最终 HBM4 测试，该内存将被采用在英伟达即将推出的 AI 芯片“Rubin”中，该芯片计划明年推出。
韩国 Herald 援引行业消息人士称，随着英伟达在 2026 年下半年将 AI 加速器从目前的 Blackwell 系列过渡到 Rubin，其旗舰内存预计也将从 HBM3E 转向 HBM4。
同时，Newsis 注意到行业关注点已转向三星电子，该公司仍处于追随者的位置。早前的朝鲜 Biz 报道表明，该公司据报道落后于竞争对手两个月，正在努力追赶。